獨石電容器也叫片式多層瓷介電容器,是由印好電極（內電極）的陶瓷介質膜片以錯位的方式疊合起來，經過一次性高溫燒結形成陶瓷芯片，再在芯片的兩端封上金屬層（外電極），從而形成一個類似獨石的結構體。 獨石電容結構簡單的平行板電容器的基本結構是由一個絕緣的中間介質層加外兩個導電的金屬電極，基本結構如下：
因此，多層片式陶瓷電容器的結構主要包括三大部分：陶瓷介質，金屬內電極，金屬外電極。而多層片式陶瓷電容器它是一個多層疊合的結構，簡單地說它是由多個簡單平行板電容器的并聯體。 獨石電容的生產工藝流程 我國自八十年代從美國引進獨石電容的生產線以來，至今已有十多年的生產經驗。在生產工藝的某些方面，比如低燒獨石電容器的生產、研究，已取得了不小的成績。介質層數在150層以下的常規(guī)產品的電性能及可靠性，已和世界先進國家的水平相差無幾。只是在更高層數、更高耐壓、高可靠的產品性能方面同世界先進國家還存在一定的差距。 獨石電容的整個生產工藝過程是一個十分復雜的過程，其對生產環(huán)境，生產設備的精度，原材料的選取都有十分苛刻的要求，我們流延成膜和絲網印刷工作間的潔凈度一般控制在3000左右，世界級水平。 獨石電容生產工藝流程：
獨石電容的分類 一類為溫度補償類NPO電介質 這種電容器電氣性能最穩(wěn)定，基本上不隨溫度、電壓、時間的改變，屬超穩(wěn)定型、低損耗電容材料類型，適用在對穩(wěn)定性、可靠性要求較高的高頻、特高頻、甚高頻電路中。 二類為高介電常數類X7R電介質 由于X7R是一種強電介質，因而能制造出容量比NPO介質更大的電容器。這種電容器性能較穩(wěn)定，隨溫度、電壓時間的改變，其特有的性能變化并不顯著，屬穩(wěn)定電容材料類型，使用在隔直、耦合、傍路、濾波電路及可靠性要求較高的中高頻電路中。 三類為半導體類Y5V電介質 這種電容器具有較高的介電常數，常用于生產比容較大、標稱容量較高的大容量電容器產品。但其容量穩(wěn)定性較X7R差，容量、損耗對溫度、電壓等測試條件較敏感，主要用在電子整機中的振蕩、耦合、濾波及傍路電路中。 獨石電容比一般瓷介電容器大（10pF~10μF），且電容量大、體積小、可靠性高、電容量穩(wěn)定，耐高溫，絕緣性好，成本低等優(yōu)點。 獨石電容的特點：溫度特性好，頻率特性好。一般電容隨著頻率的上升,電容量呈現下降的規(guī)律，獨石電容下降比較少，容量比較穩(wěn)定。 獨石電容的作用 1、儲能交換 這是獨石電容最基本的功用，主要是通過它的充放電過程來產生和施放一個電能。這主要是以大容量的Ⅱ類獨石電容為主，在某些情況下甚至可以代替小型鋁電解電容和鉭電解電容。 2、隔直通交（旁路和耦合） 由于獨石電容并非是一個導通體，它是通過交流的有規(guī)律的轉向而體現出兩端帶電的現象，因此，在電路中它可以同其它元件并聯，使交流通過，而直流被阻隔下來，起到旁路的作用。 在交流電路中，獨石電容跟隨輸入信號的極性變化而進行充放電，從而使連接獨石電容兩端的電路表現導通的狀態(tài)，起到耦合的作用。 一般說來，和放大器或運放輸入端相聯獨石電容的為耦合獨石電容；和放大器或運放發(fā)射極相聯的獨石電容為旁路獨石電容。 兩者均以Ⅱ類獨石電容為主，特別是0.1uF的電容居多。 3、鑒頻濾波 在交流電路中，對于一個多頻率混合的信號，我們可以用獨石電容將其部分分開，一般來說，我們可以使用一個合理電容量的獨石電容將大部分的低頻信號過濾掉。這主要以高頻或超高頻獨石電容為主。 4、浪涌電壓的抑制 由于獨石電容是一個儲能元件，因此，在電路中，它可以去除那些短暫的浪涌脈沖信號，也可以吸收電路中電壓起伏不定所產生的多余的能量。濾波主要以高頻產品為主。 獨石電容的應用現狀 獨石電容除有電容器“隔直通交”的通性特點外，其還有體積小，比容大，壽命長，可靠性高，適合表面安裝等特點。隨著世界電子行業(yè)的飛速發(fā)展，作為電子行業(yè)的基礎元件，獨石電容也以驚人的速度向前發(fā)展，每年以10%～15%的速度遞增。目前，世界片式電容的需求量在 2000億支以上，70%出自日本，其次是歐美和東南亞（含中國）。隨著片容產品可靠性和集成度的提高，其使用的范圍越來越廣，廣泛地應用于各種軍民用電子整機和電子設備。如電腦、電話、程控交換機、精密的測試儀器、雷達通信等。 |
